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四川梓冠-SOI芯片光電探測器陣列新品發(fā)布

更新時間：2023-08-03 點擊次數：1376

四川梓冠新品發(fā)布-SOI芯片光電探測器陣列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片式光電探測器陣列，該產品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。該產品我司于2023年8月正式啟動，歡迎選購，具體性能指標參數見下文：

〖性能指標Specifications〗

參數指標 Parameters	單位 Unit	最小值 Min.	典型值 Typ.	最大值 Max.	備注 Notes
波長范圍 Wavelength range	nm	1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
暗電流 Dark current	nA	35		50
3 dB模擬帶寬 3 dB bandwidth	GHz			28
光飽和功率 Optical saturation power	mW	10
響應度 Responsibility	A/W	0.8		0.85
90度光學混頻器損耗 90°mixer loss	dB	6	6.5	6.7
90度光學混頻器相位失衡度 90°mixer phase unbalance	°	5
通道數 Number of channels		8或可定制 8 or Can be customized
光纖接入損耗 Insertion loss	dB	≤0.5
偏振相關損耗 PDL	dB	≤0.3
工作溫度范圍 Operating temperature range	°C	-20		50
工作濕度范圍 Operating humidity range	%			+65
芯片尺寸 Chip Dimensions	mm	4(L)×5(W)×0.5(H)

訂貨信息Ordering information〗

波長

Wavelength

通道數

Number of channels

類型

Type

13=1310nm

15=1550nm

1=1CH

4=4CH

8=8CH

16=CH

48=48CH

XX=other

1=PD

2=混頻器

2=Mixer

XX=other

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